Aggiornamento praticamente ogni aspetto delle prestazioni del computer con la nuova 850 EVO di Samsung, progettato con avanzamenti state-of-the-art SSD tra cui la tecnologia 3D V-NAND. Come la nuova generazione al di là del bestseller 840 EVO, si otterrà nuovo 3 chip design tridimensionale del 850 EVO che consente prestazioni superiori, maggiore affidabilità ed efficienza energetica superiore in modo da poter lavorare e giocare più velocemente e più a lungo che mai.
3D V-NAND tecnologia
Innovative 3D V-NAND pause architettura di memoria flash di Samsung attraverso la densità, le prestazioni e le limitazioni di durata della tradizionale architettura planare NAND di oggi.Samsung 3D V-NAND stack 32 strati di cellule con conseguente verticalmente in maggiore densità e prestazioni migliori utilizzando un ingombro ridotto.
Incredibile lettura / scrittura costi
Ottenere incredibili prestazioni di lettura / scrittura per massimizzare la vostra esperienza di computing di tutti i giorni con la tecnologia TurboWrite di Samsung. È possibile ottenere fino a 1.9x prestazioni più veloci rispetto al pluripremiato Samsung 840 EVO. La 850 EVO offre prestazioni ai vertici della categoria * in lettura sequenziale (540 MB / s) e scrittura (520MB / s) velocità. Inoltre, l'aumento di prestazioni ottimizzate a caso in tutte QD per migliorare le prestazioni nel mondo reale.* Le prestazioni rispetto alle unità SSD MLC classe 3-bit
Capacità | 250 GB |
Interfaccia | SATA 6 Gb/s (compatible with SATA 3 Gb/s & SATA 1.5 Gb/s interface) |
Lettura Sequenziale | Up to 540 MB/s |
Scrittura Sequenziale | Up to 520 MB/s |
Velocità Memoria | Samsung 32 layer 3D V-NAND |
RAM | Samsung 512 MB low power DDR3 SDRAM |
Random Read | 4KB, QD32 Up to 97,000 IOPS 4KB, QD1 Up to 10,000 IOPS Nota prestazioni possono variare in base alla configurazione hardware e di sistema |
Random Write | 4KB, QD32 Up to 88,000 IOPS 4KB, QD1 Up to 40,000 IOPS Nota prestazioni possono variare in base alla configurazione hardware e di sistema |
Controller | Samsung MGX controller |
TRIM Support | Yes |
AES Encryption | AES 256-bit Encryption (Class 0) , TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive) |
Consumo | 50 milliwatts 2.4 Watts (maximum) 2.4 Watts (burst mode) Nota consumo energetico effettivo può variare a seconda della configurazione hardware e di sistema |
Voltaggio | 5V ± 5% Allowable voltage |
Affidabilità | 2 Million Hours Reliability (MTBF) |
Temperatura di Utilizzo | 32 to 158°F / 0 to 70° C |
Fattore di Forma | 2.5" |
Compatibilità OS | Windows Vista or later |
Dimensioni | 3.94 x 2.75 x 0.27" / 10.01 x 6.99 x 0.69 cm |
Peso | 1.44 oz / 40.82 g |